首页>STGB10H60DF>规格书详情
STGB10H60DF中文资料600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT数据手册ST规格书
STGB10H60DF规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB10H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：115
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.5
- VF_typ(V)
：1.7
- Qg_typ(nC)
：57
- Eon_typ(mJ)
：0.08
- Eoff_typ(mJ)
：0.14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2410+ |
TO-263 |
90 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
TO-263 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
