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STF13N60DM2中文资料N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220FP封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STF13N60DM2

功能描述

N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220FP封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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STF13N60DM2规格书详情

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STF13N60DM2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.365

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :11

  • PTOT_max(W)

    :25

  • Qg_typ(nC)

    :19

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :90

  • Qrr_typ(nC)

    :252

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :5.6

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