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STF12N60M2中文资料N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF12N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF12N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9
- PTOT_max(W)
：25
- Qg_typ(nC)
：16
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST |
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TO-220F |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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TO220F |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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原装，正品 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
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ST/意法 |
15+ |
TO-220F |
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ST |
24+ |
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新到现货，只做全新原装正品 |
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