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STF11N65M2中文资料N沟道650 V、0.60 Ohm典型值、7 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF11N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF11N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.68
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：25
- Qg_typ(nC)
：12.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
359643 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220F |
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ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
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