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STF10N80K5中文资料N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF10N80K5规格书详情
描述 Description
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best figure of merit (FoM)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF10N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.95
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-220F |
25836 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-220FP |
32000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-220F |
89031 |
询价 | |||
ST |
21+ |
TO-220F |
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STMicroelectronics |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
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ST/意法 |
24+ |
TO220F |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220FP |
43200 |
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ST(意法半导体) |
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TO-220-3 整包 |
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原厂原包 |
24+ |
原装 |
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