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STF10N62K3中文资料N沟道620 V、0.68 Ohm典型值、8.4 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF10N62K3规格书详情
描述 Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF10N62K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：620
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.75
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8.4
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：42
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
64000 |
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询价 | |||
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ST/意法 |
23+ |
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TO-220F |
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ST/意法 |
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原装正品 |
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ST |
22+ |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
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