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STF10NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with fast-recovery body diode are produced using MDmesh™ II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these devices feature low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Fast-recovery body diode
Low gate charge and input capacitance
Low on-resistance R
DS(on)
100% avalanche tested
High dv/dt ruggedness
技术参数
- 型号：
STF10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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