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STF10NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.57 Ohm, 8 A, TO-220FP FDmesh(TM) II Power MOSFET数据手册ST规格书
STF10NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with fast-recovery body diode are produced using MDmesh™ II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these devices feature low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Fast-recovery body diode
Low gate charge and input capacitance
Low on-resistance R
DS(on)
100% avalanche tested
High dv/dt ruggedness
技术参数
- 型号：
STF10NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
6007 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 整包 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-220-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-220属封 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
