首页>STF12NM50ND>规格书详情
STF12NM50ND数据手册ST中文资料规格书
STF12NM50ND规格书详情
描述 Description
The FDmesh II series belongs to the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STF12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1926+ |
TO--220F |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
1932+ |
TO-220F |
362 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
ST(意法) |
2511 |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO220FP |
25000 |
代理原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO252 |
20793 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220F |
1250 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
STM |
1944 |
5000 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220F |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
