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STE70NM60中文资料N沟道600V - 0.05 Ohm - 70A - ISOTOP有齐纳管保护的MDmesh(TM) 功率MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

STE70NM60

功能描述

N沟道600V - 0.05 Ohm - 70A - ISOTOP有齐纳管保护的MDmesh(TM) 功率MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 19:00:00

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STE70NM60规格书详情

描述 Description

The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

特性 Features

• INDUSTRY’S LOWEST ON-RESISTANCE
• TIGHT PROCESS CONTROL
• TYPICAL RDS(on) = 0.050Ω
• IMPROVED ESD CAPABILITY
• HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
• LOW GATE INPUT RESISTANCE
• LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE

技术参数

  • 制造商编号

    :STE70NM60

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :ISOTOP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.055

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :70

  • PTOT_max(W)

    :568

  • Qg_typ(nC)

    :190

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :552

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :42

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