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STE53NC50数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STE53NC50

功能描述

N沟道500V 0.070 Ohm 53A ISOTOP POWERMESH II MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:46:00

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STE53NC50规格书详情

描述 Description

The PowerMESHTM II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAYTM. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.

特性 Features

• TYPICAL RDS(on) = 0.07
• 100% AVALANCHE TESTED
• EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
• GATE CHARGE MINIMIZED
• NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

技术参数

  • 制造商编号

    :STE53NC50

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :ISOTOP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :500

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.08

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :53

  • PTOT_max(W)

    :460

  • Qg_typ(nC)

    :310

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
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