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STD9N10T4

丝印:D9N10;Package:DPAK;N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAG

文件:278.05 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD9NM40N

TO-252

ST

STD-MUD-2

STDP2600

BGA-81

ST

STDP2600ADT

FBGA

KINETIC

芯凯电子

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    STD9N10T4

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO252
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TO-252
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更多STD9N10T4供应商 更新时间2025-11-21 14:24:00