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STD888分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

STD888
厂商型号

STD888

参数属性

STD888 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 5A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

227.61 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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STD888规格书详情

DESCRIPTION

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)( IC= -5A; IB= -0.25A)

• DC Current Gain -hFE = 150(Min)@ IC= -0.5A

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Power amplifier applications

• Voltage regulation in bias supply circuits applications

• Switching regulator inbattery charger applications

产品属性

  • 产品编号:

    STD888T4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 500mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 5A DPAK

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