STD888分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STD888 |
| 参数属性 | STD888 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 5A DPAK |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
227.61 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 9:59:00 |
| 人工找货 | STD888价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD888规格书详情
DESCRIPTION
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)( IC= -5A; IB= -0.25A)
• DC Current Gain -hFE = 150(Min)@ IC= -0.5A
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Power amplifier applications
• Voltage regulation in bias supply circuits applications
• Switching regulator inbattery charger applications
产品属性
- 产品编号：
STD888T4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 500mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，1V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS PNP 30V 5A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
18+ |
TO-252 |
85600 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-252 |
8650 |
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询价 | ||
ST |
2511 |
TO-252/D-PAK |
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ST/意法 |
22+ |
TO252 |
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原装正品 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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23+ |
TO-223 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
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ST |
TO252 |
68500 |
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ST/意法 |
2023+ |
SMD |
12500 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |
