isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 0.92Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.26 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：1.91074 Mbytes 页数：4 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：474.69 Kbytes 页数：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

STD

文件：67.81 Kbytes 页数：1 Pages

VCC

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：996.87 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：996.79 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：116.67 Kbytes 页数：10 Pages

SAMHOP

三合微科

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：474.69 Kbytes 页数：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：1.91074 Mbytes 页数：4 Pages

SIRECT

矽莱克半导体

Thyristor-Diode Modules

文件：241.74 Kbytes 页数：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子