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5N62K3	文件：1.10806 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB5N62K3	文件：1.10908 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU5N62K3	文件：318.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU5N62K3	文件：1.1786 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.28ohm,4.2ASuperMESH3PowerMOSFET Description ThesedevicesaremadeusingtheSuperMESH3™PowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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