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STD3NK90ZT4	文件：662.23 Kbytes Page：20 Pages	N-channel900V,4.1廓typ.,3AZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFETinDPAK,TO-220andTO-220FPpackages DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchser	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK90ZT4	文件：613.22 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL900V-4.1ohm-3ATO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchser	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK90ZT4	文件：354.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD3NK90ZT4	文件：563.35 Kbytes Page：24 Pages	N-channel900V,3.6Ωtyp.,3ASuperMESH™PowerMOSFETsinDPAK,TO-220andTO-220FPpackages Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多STD3NK90ZT4MOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-15 13:00:00

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