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STD2NK90Z	文件：389.99 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET Description The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such seri 文件：389.99 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90Z	文件：604.55 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 900V - 5廓 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH??MOSFET 文件：604.55 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90Z	文件：834.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：834.39 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD2NK90Z-1	文件：389.99 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET Description The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such seri 文件：389.99 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90ZT4	文件：389.99 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET Description The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such seri 文件：389.99 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90Z_06	文件：604.55 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 900V - 5廓 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH??MOSFET 文件：604.55 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90Z-1	文件：604.55 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 900V - 5廓 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH??MOSFET 文件：604.55 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90Z-1	文件：1.41434 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.41434 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD2NK90ZT4	文件：604.55 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 900V - 5廓 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH??MOSFET 文件：604.55 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD2NK90ZT4	文件：311.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：311.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
IPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
900
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
6.5
Drain Current (Dc)_max(A)：
2.1
PTOT_max(W)：
70
Qg_typ(nC)：
19.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD2NK90Z供应商更新时间2025-11-22 11:04:00

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