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STD2N105K5中文资料N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD2N105K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD2N105K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1050
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：8
- Drain Current (Dc)_max(A)
：1.5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ST/意法半导体 |
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