High avalanche ruggedness

文件：720.88 Kbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD

文件：67.81 Kbytes 页数：1 Pages

VCC

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.77775 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08801 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件：1.08394 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.088 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages

文件：1.0714 Mbytes 页数：20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：2N105K5；Package：DPAK；N-channel 1050 V, 6 廓 typ., 1.5 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

文件：1.14192 Mbytes 页数：21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Power MOSFET

文件：1.07827 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：2N95K5；Package：DPAK；N-channel 950 V, 4.2 廓 typ., 2 A Zener-protected SuperMESH??5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

文件：1.29035 Mbytes 页数：23 Pages

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意法半导体