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STD1HN60K3中文资料N沟道600 V、6.4 Ohm典型值、1.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD1HN60K3规格书详情
描述 Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD1HN60K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：8
- Drain Current (Dc)_max(A)
：1.2
- PTOT_max(W)
：27
- Qg_typ(nC)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
7500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
3000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
DAPK |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
