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STD18N65M2-EP中文资料N-channel 650 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD18N65M2-EP规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 EP enhancedperformance technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure,the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very lowturn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very highfrequency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD18N65M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.378
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：17
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