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STD180N4F6中文资料N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD180N4F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD180N4F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0043
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：168
- Qg_typ(nC)
：130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
SIRECTIFIER |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Sirectifier |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 |
