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STD180N4F6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STD180N4F6

功能描述

N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-11 11:26:00

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STD180N4F6规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STD180N4F6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0043

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :120

  • PTOT_max(W)

    :168

  • Qg_typ(nC)

    :130

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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