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STD180N4F6中文资料N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD180N4F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with anew trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) inall packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD180N4F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0043
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：168
- Qg_typ(nC)
：130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIRECTIFIER |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
TO-252 |
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ST |
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STMicroelectronics |
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Sirectifier |
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标准封装 |
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
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国产 |
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STMicroelectronics |
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DPAK |
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SIRECTIFIER |
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ST |
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
