首页>STD19N3LLH6AG>规格书详情
STD19N3LLH6AG中文资料Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD19N3LLH6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology witha new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very lowRDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Logic level
技术参数
- 制造商编号
：STD19N3LLH6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.033
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：3.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
2022+ |
TO-252 |
4000 |
只做原装，可提供样品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT89 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
STM/意法 |
14+ |
TO-252-3 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 |
