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STD12NM50ND规格书详情
Description
FDmesh™ technology combines the MDmesh™ features with an intrinsic fast-recovery body diode. The resulting product has reduced on resistance and fast switching commutations, making it especially suitable for bridge topologies where low trr is required.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD12NM50ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
67 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
24+ |
TO252 |
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ST |
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TO252 |
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ST |
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ST(意法) |
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na |
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ST/意法 |
22+ |
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ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 |
