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STD12NF06-1规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Exceptional dv/dt capability
■ Low gate charge
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STD12NF06-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
08+ |
TO-252 |
20000 |
普通 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO252 |
9860 |
全新原装现货/假一罚百! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO-251 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-251 |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-251 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-251 |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
ST |
24+ |
SMD |
10000 |
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15 |
询价 |
