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STD12NM50N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD12NM50N

功能描述

N-channel 500V - 0.29廓 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

510.43 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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STD12NM50N规格书详情

描述 Description

This series of devices is realized with the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistancel

产品属性

  • 型号:

    STD12NM50N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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