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STD12NF06T4规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Exceptional dv/dt capability
■ Low gate charge
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STD12NF06T4
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
16048 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
25000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504554 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
32000 |
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询价 | |||
STM |
07+ |
85 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
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询价 |
