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STD11NM60ND	文件：530.46 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600V - 0.37廓 - 10A - FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Description ThedeviceisanN-channelFDmesh™IIPowerMOSFETthatbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD11NM60ND	文件：756.46 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A, FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD11NM60ND	文件：324.69 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD11NM60ND_10	文件：756.46 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A, FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11NM60N	文件：309 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF11NM60N	文件：641.21 Kbytes Page：20 Pages	N-channel600V,0.37廓,10AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,I2PAK,IPAK,DPAK,D2PAK Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11NM60N	文件：470.38 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP-IPAK-DPAKSecondgenerationMDmeshPowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11NM60N	文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages	N-channel600V-0.37廓-10A-TO-220-TO-220FP-I2PAK-IPAKDPAK-D2PAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11NM60N	文件：489.4 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.37廓-10A-TO-220/FP-I/I2PAK-DPAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11NM60ND	文件：310.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
STD11NM60ND
功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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