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STB80NE06-10	文件：94.7 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP80NE06-10	文件：998.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP80NE06-10	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW80NE06-10	文件：351.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW80NE06-10	文件：82.49 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL60V-0.0085ohm-80A-TO-247STripFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB80NE06-10
功能描述：
MOSFET RO 511-STB80NF06
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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