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STB6NK60Z-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB6NK60Z-1
厂商型号

STB6NK60Z-1

功能描述

N-channel 600 V - 1 廓 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH??Power MOSFET

丝印标识

B6NK60Z

封装外壳

I2PAK

文件大小

444.64 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    STB6NK60Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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