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STB60N03L-10	文件：87.64 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175 oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THR 文件：87.64 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB60N03L-10	文件：1.13732 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.13732 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STB60N03L-10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
STBC08PMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ST 上传：深圳市芯通智达科技有限公司	ST
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更多STB60N03L-10供应商更新时间2026-1-29 10:12:00