STB5N80K5中文资料N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装数据手册ST规格书
STB5N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STB5N80K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:D2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:1.75
- Drain Current (Dc)_max(A)
:4
- PTOT_max(W)
:60
- Qg_typ(nC)
:5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST |
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TO-263 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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ST |
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SST |
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ST |
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
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ST |
24+ |
SOT-263 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
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