STB5N52K3数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号：
STB5N52K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4244 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
54648 |
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询价 | ||
ST |
20+ |
TO-263 |
32970 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
990000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
23+ |
TO263 |
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ST |
25+23+ |
TO263 |
75542 |
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STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
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ST |
19+ |
TO-263 |
17480 |
询价 |
