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STB57N65M5中文资料N沟道650 V、0.056 Ohm典型值、42 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB57N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
特性 Features
• Extremely low RDS(on)
• Low gate charge and input capacitance
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB57N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.063
- Drain Current (Dc)_max(A)
：42
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：98
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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