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STB3NA60-1	文件：115.45 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, 文件：115.45 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB3NA60-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST	25+	TO-263/D2-PAK	32500	普通	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STB3NA60-1	ST	22+	TO	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST/意法	22+	TO	100609		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST	25+	TO	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	STB3NA80	ST	06+	TO-263	8000	原装	询价
深圳市利加科技有限公司	STB3NA80	ST	16+	TO-263	10000	全新原装现货	询价
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深圳市一线半导体有限公司	STB3NA80-1		24+	N/A	1500		询价

更多STB3NA60-1供应商更新时间2026-1-29 10:12:00