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STB3NA60-1	文件：115.45 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, 文件：115.45 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB3NA60-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
STB55NF06	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	ST
STB6NK90ZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT263	ST 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ST
STBC08PMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ST 上传：深圳市芯通智达科技有限公司	ST

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST	1709+	TO-263/D2-PAK	32500	普通	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STB3NA60-1	ST	22+	TO	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST/意法	22+	TO	100609		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STB3NA60-1	ST	25+	TO	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市星佑电子有限公司	STB3NA80	ST	06+	TO-263	8000	原装	询价
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深圳市一线半导体有限公司	STB3NA80-1		24+	N/A	1500		询价

更多STB3NA60-1供应商更新时间2025-12-12 10:51:00