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STB130NS04ZBT4中文资料MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK数据手册ST规格书
技术参数
- 型号:
STB130NS04ZBT4
- 功能描述:
MOSFET N Ch CLAMPED 8mOhm 80A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-263-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST |
19 |
TO-263 |
938 |
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询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST |
NEW |
TO-263 |
8795 |
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ST |
24+ |
TO-263 |
20000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
8000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
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ST(意法半导体) |
2447 |
TO-263-2 |
105000 |
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