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STB100N10F7_V01

N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages

Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trenc

文件:652.33 Kbytes 页数:28 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB10LN80K5

TO-263

ST/意法

STB11NM80T4

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STB120NF10T4

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更多STB100N10F7_V01供应商 更新时间2025-11-20 14:06:00