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STB100N10F7_V01中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STB100N10F7_V01

功能描述

N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages

文件大小

652.33 Kbytes

页面数量

28

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 18:06:00

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STB100N10F7_V01规格书详情

特性 Features

• Among the lowest RDS(on) on the market

• Excellent FoM (figure of merit)

• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

• High avalanche ruggedness

Applications

• Switching applications

描述 Description

These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an

enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also

reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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