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STAC4933中文资料300W - 50V High Ruggedness HF/VHF DMOS in STAC177 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STAC4933

参数属性

STAC4933 封装/外壳为STAC177B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B

功能描述

300W - 50V High Ruggedness HF/VHF DMOS in STAC177 package
MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B

封装外壳

STAC177B

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:10:00

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STAC4933规格书详情

描述 Description

The STAC4933 is an N-channel MOS field-effect RF power transistor, intended for use in 50 V ISM applications up to 100 MHz.

特性 Features

• Improved ruggedness V(BR)DSS > 200 V
• Excellent thermal stability
• POUT = 300 W min. with 24 dB gain @ 30 MHz
• STAC air cavity packaging technology - STAC®package

简介

STAC4933属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的STAC4933晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STAC4933

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    30MHz

  • 增益:

    24dB

  • 额定电流(安培):

    40A

  • 功率 - 输出:

    300W

  • 封装/外壳:

    STAC177B

  • 供应商器件封装:

    STAC177B

  • 描述:

    MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B

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