ST13007D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
ST13007D |
参数属性 | ST13007D 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A TO220 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
215.66 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 12:20:00 |
人工找货 | ST13007D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
ST13007D规格书详情
ST13007D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的ST13007D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.
■ IMPROVED SPECIFICATION:
- LOWER LEAKAGE CURRENT
- TIGHTER GAIN RANGE
- DC CURRENT GAIN PRESELECTION
- TIGHTER STORAGE TIME RANGE
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■ INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
■ VERY HIGH SWITCHING SPEED
■ FULLY CHARACTERIZED AT 125 oC
■ LARGE RBSOA
APPLICATIONS
■ UP TO 120W ELECTRONIC
TRANSFORMERS FOR HALOGEN LAMPS
■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES
产品属性
更多- 产品编号:
ST13007D
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 2A,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 5A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 400V 8A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-220 |
42015 |
原装正品现货 |
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ST |
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