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SSU1N50A	文件：345.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSU1N50A	文件：265.7 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ■LowerRDS(ON):4.046Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSU1N50B	文件：634.92 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSW1N50A	文件：1.1032 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSW1N50B	文件：1.10311 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSW1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TSM1N50	文件：124.16 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelPowerMOSFET 500VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N50CT	文件：124.16 Kbytes Page：7 Pages	500VN-CHANNELPOWERMOSFET 500VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
UPF1N50	文件：681.29 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTNCHANNELMOSFET DESCRIPTION PowerMOSFETinultralowprofilepatentedPowermite3(TM)packageprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastSwitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistance,costeffectivenessintheindustryssmallesthighpowersurfacemountpackage. TheUPF1N50isidealforu	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
SSS1N50B
功能描述：
MOSFET NCh/500V/1.2a/5.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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