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SSRF06N60SL	文件：600.76 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：600.76 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSRF06N60SL_15	文件：600.76 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：600.76 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
06N60E	文件：561.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) High avalanche durability Applica 文件：561.49 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji
AIHD06N60R	文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.92413 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AIHD06N60RF	文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.74081 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多SSRF06N60SL供应商更新时间2025-10-11 10:05:00