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SWI4N60V	文件：1.90685 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWP4N60A	文件：771.67 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP4N60A	文件：1.09025 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T4N60	文件：1.09022 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TFF4N60	文件：337.26 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET4.1A,600V,2.5廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TFP4N60	文件：350.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET4.1A,600V,2.5廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TMD4N60G	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSD4N60M	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CI	文件：1.09028 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SSR4N60BTF
功能描述：
MOSFET 600V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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