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TSD4N60M	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CI	文件：1.09028 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CPRO	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CPROG	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60E	文件：1.20259 Mbytes Page：7 Pages	600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60ECPROG	文件：1.20259 Mbytes Page：7 Pages	600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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深圳市一线半导体有限公司	TSD5	A	24+	b	3		询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	TSD5080DV	ST	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价

更多TSD4N60M供应商更新时间2025-7-24 16:12:00

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