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SSP4N50	文件：279.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
4N50	文件：171.71 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N50	文件：183.98 Kbytes Page：6 Pages	4A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N50	文件：67.85 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDT4N50NZU	文件：213.53 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,UniFETII,UltraFRFET500V,2A,3 Description UniFETIIMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOS technology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston−state resistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperior switchingperformanceandhigheravalancheen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQB4N50	文件：749.07 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features •3.4A,500V,RDS(on)=2.7Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical10nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD4N50	文件：743.57 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD4N50	文件：305.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD4N50	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI4N50	文件：749.07 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features •3.4A,500V,RDS(on)=2.7Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical10nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N50	文件：733.84 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP4N50	文件：302.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF4N50	文件：731.03 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU4N50	文件：743.57 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU4N50	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU4N50	文件：330.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU4N50TU	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	100avalanchetested,RoHSCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HFD4N50	文件：865.85 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
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HFS4N50	文件：733.29 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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更多SSP4N50供应商更新时间2024-6-25 19:10:00

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