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SSP5N60	文件：1.09041 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSP5N60A	文件：232.29 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP5N60A	文件：1.09042 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSP5N60B	文件：1.09042 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSS5N60A	文件：386.11 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=600V RDS(on)=2.2Ω ID=2.6A FEATURES LogicLevelGateDrive AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V LowerRDS(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STP5N60	文件：1.08442 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP5N60	文件：337.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channelenhancementmodepowermostransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.33Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP5N60FI	文件：337.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channelenhancementmodepowermostransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.33Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SVD5N60AF	文件：486.28 Kbytes Page：7 Pages	5A,600VNCHANNELMOSFET	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD5N60AT	文件：486.28 Kbytes Page：7 Pages	5A,600VNCHANNELMOSFET	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD5N60AT	文件：1.0903 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVD5N60F	文件：1.0903 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SVF5N60D	文件：1.07807 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SW5N60	文件：384.75 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220FMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW5N60D	文件：772.38 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-220SFMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWF5N60	文件：384.75 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220FMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TFF5N60	文件：194.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET4.5A,600V,2.4廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG

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详细参数

型号：
SSP5N60
功能描述：
MOSFET TO-220
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	SSP5N60	FAIRCHILD/仙童	24+	TO 220	155963	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多SSP5N60供应商更新时间2024-9-27 8:09:00

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