450V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel B-FET 450 V, 0.5 A, 4.25 廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，B-FET，450 V，0.5 A，4.25 Ω，TO-92

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合半桥配置的电子整流器。 •0.5A，450V，RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V\n•低栅极电荷（典型值6.5nC）\n•低Crss（典型值6.5 pF）\n•100%经过雪崩测试\n•可提高dv/dt处理能力\n•栅极-源电压 ±；50V保证;

ONSEMI

安森美半导体

450V N-Channel Power MOSFET

General Description The TSM1N45 is N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar DMOS technology process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand higher energ

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TSC

台湾半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

450V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体