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SSN1N45B数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

SSN1N45B

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,450 V,0.5 A,4.25 Ω,TO-92

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:31:00

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SSN1N45B规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合半桥配置的电子整流器。

特性 Features

•0.5A,450V,RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值6.5nC)
•低Crss(典型值6.5 pF)
•100%经过雪崩测试
•可提高dv/dt处理能力
•栅极-源电压 ±;50V保证

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :SSN1N45B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :450

  • VGS Max (V)

    :±50

  • VGS(th) Max (V)

    :-

  • ID Max (A)

    :0.5

  • PD Max (W)

    :0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4250

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :23.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.5

  • Ciss Typ (pF)

    :185

  • Package Type

    :TO-92-3 LF

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