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TSM1N45CT	文件：970.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM1N45CTA3	文件：583.76 Kbytes Page：8 Pages	450V N-Channel Power MOSFET GeneralDescription TheTSM1N45isN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingplanarDMOStechnologyprocess.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigherenerg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45CTB0	文件：583.76 Kbytes Page：8 Pages	450V N-Channel Power MOSFET GeneralDescription TheTSM1N45isN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingplanarDMOStechnologyprocess.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigherenerg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45CTA3	文件：475.08 Kbytes Page：9 Pages	450V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45CTB0	文件：475.08 Kbytes Page：9 Pages	450V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45CTB0	文件：970.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM1N45CWRP	文件：475.08 Kbytes Page：9 Pages	450VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45D	文件：459.35 Kbytes Page：8 Pages	450VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45D	文件：386.83 Kbytes Page：6 Pages	450VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM1N45isN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingplanarDMOStechnologyprocess.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigherenerg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N45DCSRL	文件：386.83 Kbytes Page：6 Pages	450VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM1N45isN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingplanarDMOStechnologyprocess.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigherenerg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
TSM1N45CT
功能描述：
MOSFET 450V N Channel Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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