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SSM6L56FE中文资料Small-signal MOSFET 2 in 1数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM6L56FE

功能描述

Small-signal MOSFET 2 in 1

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-20 12:00:00

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SSM6L56FE规格书详情

描述 Description

Application Scope:High-Speed Switching
Polarity:N-ch + P-ch
Generation:U-MOSⅦ-H / U-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Drain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q1) ID 800 mA
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -800 mA
Power Dissipation PD 0.15 W

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM6L56FE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Polality

    :N-ch + P-ch

  • VDSS(V)

    :20/-20

  • VGSS(V)

    :+/-8

  • ID:Q1(A)

    :0.8

  • ID:Q2(A)

    :-0.8

  • PD(W)

    :0.15

  • Ciss:Q1(pF)Typ.

    :55

  • Ciss:Q2(pF)Typ.

    :100

  • Qg:Q1(nC)Typ.

    :1.0

  • Qg:Q2(nC)Typ.

    :1.6

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax

    :0.3

  • RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax

    :0.235

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax

    :0.48

  • RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax

    :0.39

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Generation

    :U-MOSⅦ-H/U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm2)

    :2.56

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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