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SSM6J505NU	文件：276.69 Kbytes Page：9 Pages	丝印：SP5；Package：UDFN6B；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.2 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 12 m 文件：276.69 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J505NU	文件：241.17 Kbytes Page：9 Pages	Power Management Switches 文件：241.17 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J505NU_V01	文件：276.69 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.2 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 12 m 文件：276.69 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J505NU_14	文件：241.16 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) 文件：241.16 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J505NU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID -12 A \nPower Dissipation PD 1.25 W \nDrain-Source voltage VDSS -12 V \nGate-Source voltage VGSS +/-6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-12
VGSS(V)：
+/-6
ID(A)：
-12
PD(W)：
1.25
Ciss(pF)：
2700
Qg(nC)：
37.6
=1.2V：
0.061
=1.5V：
0.03
=1.8V：
0.021
=2.5V：
0.016
=4.5V：
0.012
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
UDFN6B
Generation：
U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.0 x 0.75
Package Size(mm^2)：
4.00
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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更多SSM6J505NU供应商更新时间2025-11-30 16:36:00

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